工业级乙醇钽（五乙氧基钽 / 乙醇钽 (V)）
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CAS：6074-84-6
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分子式：Ta (OC₂H₅)₅，简写 Ta (OEt)₅
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分子量：406.25
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英文名称：Tantalum (V) ethoxide，Pentaethoxytantalum
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别名：乙氧基钽、五乙氧基钽
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EINECS：228-010-2
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外观：无色至微淡黄色透明液体，对潮气极度敏感，遇水快速水解，析出氧化钽沉淀，释放乙醇
理化基础参数
表格
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项目
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参数
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密度
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1.566 g/mL（25℃）
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熔点
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21 ℃
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沸点
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155 ℃ / 0.01 mmHg
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折射率
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n₂₀/D = 1.487
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闪点
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31 ℃（闭杯），属于易燃液体
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溶解性
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可溶于甲苯、乙醇、四氢呋喃等有机溶剂；遇水分解
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储存敏感特性
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强吸湿、遇湿气水解，需隔绝空气水汽
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形态
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常温液态；低温低于熔点会结晶
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工业质量指标（主流工业 / 电子前驱品级）
表格
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检测项目
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工业一级品（3N）
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高纯电子级（4N）
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Ta (OC₂H₅)₅ 主含量
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≥99.0%
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≥99.99%
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钽（Ta）含量
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44.0～46.0 %
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44.5～45.8 %
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水分（KF）
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≤0.05%
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≤0.02%
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氯离子（Cl⁻）
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≤0.005%
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≤0.001%
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铁（Fe）
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≤0.003%
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≤0.0005%
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镍（Ni）
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≤0.003%
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≤0.0005%
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铜（Cu）
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≤0.003%
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≤0.0005%
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钾、钠（K、Na）
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≤0.003%
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≤0.0003%
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重金属总杂质
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≤0.01%
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≤0.001%
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游离乙醇
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≤0.3%
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≤0.1%
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备注：半导体 ALD 专用 5N 超高纯品级，痕量金属杂质控制到 ppm/ppb 级别，挥发性能严格标定；该产品无通用国标，均执行企业内控标准，配套 COA 质量证书。
主要用途
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半导体薄膜前驱体（核心用途）CVD / ALD 工艺前驱原料，沉积五氧化二钽、氮化钽薄膜；作为铜互连工艺扩散阻挡层，阻挡铜向硅基底扩散；制备高介电常数 High-k 介质层，用于存储芯片、逻辑器件、钽电容介电薄膜，是先进制程关键金属有机源材料。
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光学镀膜原料溶胶 - 凝胶法制备高折射率、低吸收氧化钽光学薄膜，用于光学滤光片、增反 / 减反膜、激光镜片、红外窗口涂层，光学稳定性优异。
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新能源与光催化材料制备氧化钽光催化粉体、薄膜，用于光解水制氢；也用作钙钛矿太阳能电池、光电变色器件涂层前驱体，提升器件耐候性与光电转化效率。
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特种陶瓷与粉体合成制备高纯超细氧化钽、碳化钽纳米粉末；用于高温结构陶瓷、硬质陶瓷、压电陶瓷、生物陶瓷的改性前驱体，降低烧结温度，提升致密度。
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表面防护涂层在金属、硬质合金表面沉积钽基耐蚀涂层，提升基材抗酸碱、高温氧化能力，用于航空航天、精密仪器零部件。
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精细化工与科研有机合成催化剂、金属有机配位化合物合成原料；实验室溶胶凝胶、纳米材料、核壳结构功能材料制备原料。
包装、储运与安全
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包装：惰性氮气保护密封；小规格：100 mL / 500 mL / 1 L 厚壁避光塑料瓶；大宗工业包装：密封不锈钢压力桶，严禁普通敞口桶；不能接触水汽。
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储存：阴凉、干燥、密闭库房，推荐储存温度 2–8℃；必须全程隔绝湿气、空气；远离热源、明火、氧化剂；单独存放，严禁与水、醇类、酸碱混储。
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产品展厅
